Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости.
p-n переход действует как диод, так как имеет одностороннюю проводимость....
Пример 2
Задание: Что такое туннельный эффект?...
перехода, который делится потенциальным барьером энергии носителей равны, возникает так называемый туннельный...
В интервале от первого максимума тока до следующего за ним минимума туннельный диод проявляет эффект...
Рис.5 Вольт -- амперная характеристика туннельного диода.
Рисунок 5.
В работе проанализированы характеристики усилителей на резонансно-туннельных диодах (РТД) с помощью метода медленно меняющихся амплитуд при больших сигналах и при работе на частотах, близких к резонансной. При этом рассматривается наиболее полная эквивалентная схема РТД без упрощений.
Конструкции на туннельные, лавинные, лавинно-пролетные, диоды Шотки, стабилитроны, фотодиоды и другие...
Исследование полупроводникового диода и его основные параметры
Исследование полупроводникового диода...
Электрический пробой может быть двух видов - лавинный туннельный....
Диапазон частот полупроводникового диода....
диод в прямом направлении.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве