произведение коэффициента потерь на гистерезис на заданную амплитуду синусоидального магнитного поля; предполагается, что тангенс угла магнитных потерь менее 0,1.
Научные статьи на тему «Тангенс угла потерь на гистерезис»
угла диэлектрических потерь -- это те свойства, которые необходимы для производства конденсаторов.... Характерным свойством сегнетоэлектрика является наличие диэлектрического гистерезиса.... Подобные изоморфные смеси проявляют явление гистерезиса.... Ответ: При составлении подобных смесей понижается тангенсугла диэлектрических потерь.... угла диэлектрических потерь ($tg\delta $) равный 0,0$2$.
Изучены особенности фазового перехода «диэлектрик-полупроводник» в высококипящих углеводородных фракциях. Температурная зависимость электропроводности высококипящих углеводных фракций образует излом в области температур 65-85 °С, тангенс угла диэлектрических потерь резко возрастает после достижения 65-85 °С. Активное сопротивление образцов ВУФ снижается при нагревании до 65-85 °С с 0.55 МОм до 0.5 МОм для ВБО и с 0.47 МОм до 0.42 МОм для АПД, а затем резко возрастает до 0.8 МОм, при этом комплексное и реактивное сопротивления продолжают уменьшаться при дальнейшем нагревании. Все эти факты подтверждают гипотезу авторов о том, что в образцах ВУФ в области температур 65-85 °С происходит фазовый переход из состояния «диэлектрик» в состояние «полупроводник». Рост электропроводности в высококипящих углеводородных фракциях обеспечивается температурной генерацией носителей заряда свободных радикалов (спинов), образующихся в результате разрыва слабых углерод-углеродных связей, ослабленных со...
Диэлектрические потери.... Потери в диэлектрических материалах характеризуются тангенсомугла диэлектрических потерь:
$tgf = Iak... в диэлектрике, коэффициент прямоугольности у петли гистерезиса.... Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
Величина потерь на гистерезис зависит от частоты перемагничивания... и значения максимальной индукции, которые определяются площадью петли гистерезиса.
Предмет исследования. Представлены результаты структурных и диэлектрических исследований пленок органического сегнетоэлектрика 2-метилбензимидазола (MBI). Метод. Пленки выращивались на металлических (золото, алюминий, платина) и диэлектрических (галлат неодима (NdGaO3), лейкосапфир (Al2O3), плавленый и кристаллический кварц (SiO2), германат висмута (Bi12GeO20)) подложках. Пленки получались двумя методами: нанесением на подложку раствора в этиловом спирте кристаллов 2-метилбензимидазола с последующим испарением спирта; возгонкой при температуре около 375 К при атмосферном давлении. Исследования кристаллографической ориентации выполнены с использованием рентгеновского дифрактометра «ДРОН-3», а блочная структура пленок определена с использованием поляризационного микроскопа «ЛабоПол-3». Слабосигнальный диэлектрический отклик получен с использованием цифрового измерителя LCR «MIT 9216A», а сильносигнальный диэлектрический отклик по схеме Сойера-Тауэра. Основные результаты. Показано, что...
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.
Оставляя свои контактные данные и нажимая «Попробовать в Telegram», я соглашаюсь пройти процедуру
регистрации на Платформе, принимаю условия
Пользовательского соглашения
и
Политики конфиденциальности
в целях заключения соглашения.
Нужен реферат по теме
«Тангенс угла потерь на гистерезис»?
Попробуй нейросеть, которая помогла тысячам студентов