Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
резист, у которого под воздействием излучения стойкость к травителям уменьшается.
Исследованы кинетические закономерности процесса химического усиления в резисте на основе поли-трет-бутоксикарбонилоксистирола и триарилсульфониевой соли в качестве фоточув-ствительного генератора кислоты. Показано, что метилметакрилат может быть использован для модификации резиста с целью получения позитивного изображения. Изучено влияние состава сополимера трет-бутоксикарбонилоксистирола с метилметакрилатом на чувствительность резистов к непрерывному УФ-излучению (254 нм) и импульсному излучению KrF-лазера (248 нм).
Представлены некоторые результаты, касающиеся механизма, особенностей и практических возможностей предложенного авторами прямого метода формирования изображения в некоторых позитивных резистах непосредственно в процессе экспонирования электронным лучом в вакууме. На примере резиста из полиметилметакрилата показано, в частности, что этот метод удобен для получения микрои наноструктур со скруглённым профилем сечения, а также для получения пространственных 3D-структур с хорошей точностью вертикальных размеров изображения и низкой шероховатостью поверхности. Представленные данные в целом, по мнения авторов, указывают на потенциальные прикладные возможности предлагаемого метода, в частности, для изготовления дифракционных оптических элементов.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве